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TBL2301W

更新时间: 2024-04-09 19:03:14
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银河微电 - BL Galaxy Electrical /
页数 文件大小 规格书
5页 540K
描述
-20V, P Channel MOSFETs

TBL2301W 数据手册

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P-Channel Enhancement Mode MOSFET  
TBL2301W  
Ratings and Characteristics Curves (@ TA = 25C unless otherwise specified)  
0.3  
0.2  
0.1  
0
2
1.5  
1
0.5  
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
TA()  
TA()  
Fig 1 Power Dissipation  
Fig 2 Drain Current  
150  
100  
50  
10  
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
VGS = -2.5V  
VGS = -2.5 V  
VGS = -3 V ~ -6 V  
VGS = -2 V  
VGS = -4.5 V  
VGS = -1.5V  
0
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
-VDS(V)  
-ID(A)  
Fig 3 Typical Output Characteristics  
Fig 4 On-Resistance vs. Drain Current  
and Gate Voltage  
200  
150  
100  
50  
10  
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
ID = -1.5A  
150  
150℃  
25℃  
25℃  
-55℃  
-55℃  
0
0
0.3  
0.6  
0.9  
1.2  
1.5  
0
1
2
3
4
5
-VGS(V)  
-VSD(V)  
Fig 5 On-Resistance vs. Gate-Source Voltage  
Fig 6 Body-Diode Characteristics  
MTM0184A: October 2023 [2.1]  
www.gmesemi.com  
3

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