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TBAW56,LM

更新时间: 2024-02-14 16:22:51
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 464K
描述
DIODE ARRAY GP 80V 215MA SOT23-3

TBAW56,LM 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
Factory Lead Time:12 weeks风险等级:2.27
配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:2端子数量:3
最高工作温度:150 °C最大输出电流:0.215 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:0.32 W最大重复峰值反向电压:85 V
最大反向恢复时间:0.004 µs表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

TBAW56,LM 数据手册

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TBAS16,TBAW56,TBAV70  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
mV  
715  
855  
1000  
1250  
30  
V
V
V
V
I
I
I
I
= 1mA  
F (1)  
F (2)  
F (3)  
F (4)  
R(1)  
R(2)  
R(3)  
R(4)  
F
F
F
F
= 10mA  
= 50mA  
= 150mA  
Forward voltage  
I
I
I
I
V
V
V
V
V
= 25V  
nA  
μA  
μA  
μA  
pF  
ns  
R
R
R
R
R
= 80V  
0.5  
Reverse current  
= 25V, Tj = 150C  
= 80V, Tj = 150C  
30  
100  
Total capacitance  
C
T
= 1 V, f = 1MH  
0.9  
1.6  
z
Reverse recovery time  
trr  
I
= 10mA, Fig.1  
4.0  
F
2
X34TTD-xxx-0x 2016-03-29  

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