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TB1S-08

更新时间: 2024-02-25 01:21:57
品牌 Logo 应用领域
强茂 - PANJIT 二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 104K
描述
MICRO SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

TB1S-08 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active零件包装代码:DIP
包装说明:R-PDSO-G4针数:4
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.72
Is Samacsys:N其他特性:UL RECOGNIZED
最小击穿电压:100 V配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G4最大非重复峰值正向电流:20 A
元件数量:4相数:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
最大输出电流:0.8 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:100 V表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

TB1S-08 数据手册

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TB1S-08~TB10S-08  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (If not specified TA=25oC)  
PARAMETER  
Forward Voltage  
SYMBOL  
VF  
CONDITIONS  
MAX.  
1.1  
UNIT  
V
I
F
=0.8A,Pulse measurement, Rating of per diode  
Reverse Current  
IR  
At VRRM,Pulse measurement, Rating of per diode  
=4V,f=1MH  
10  
μA  
Typical Junction capacitance  
CJ  
V
R
Z
10  
70  
pF  
RθJC  
Junction to case  
Thermal Resistance  
OC/W  
RθJA  
Junction to ambient,On FR-4 P.C.B Board  
95  
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES  
100  
10  
@ Fully Rated VRRM  
10  
150℃  
1
25℃  
1
0.1  
0.01  
0.1  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1
1.2  
1.4  
1.6  
1.8  
2
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
160  
VF , FORWARD VOLTAGE(V)  
Junction Temperature TJ, °C  
FIG-2 TYPICAL LEAKAGE CURRENT vs  
JUNCTION TEMPERATURE  
Fig.1 -TYPICAL FORWARD CCHHAARRAACCTTEERRIISSTTIICCSS  
0.90  
0.80  
0.70  
0.60  
0.50  
0.40  
0.30  
0.20  
0.10  
0.00  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
TA, AMBIENT TEMPERATURE (oC)  
FIG 3- DERATING CURVE  
May 14.2010-REV.01  
PAGE . 2  

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