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TB1100L

更新时间： 2024-01-21 15:13:22

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美台 - DIODES		光电二极管
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4页	192K
描述
30A BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE

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TB1100L 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-C2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
最大转折电压：	130 V	配置：	SINGLE
最大断态直流电压：	90 V	最大维持电流：	800 mA
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	通态非重复峰值电流：	25 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	255
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Silicon Surge Protectors
表面贴装：	YES	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SILICON SURGE PROTECTOR	Base Number Matches：	1

TB1100L 数据手册

1.2

100

1.15

= (T )

= (T = 25°C)

1.1

1.05

0.1

DRM

= 50V

0.95

0.01

0.9

-50

125

75 100 150 175

-25

0.001

-25

100 125

150

T , JUNCTION

TEMPERATURE (°C)

T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)

Fig. 2 Relative Variation of Breakdown Voltage

vs. Junction Temperature

Fig. 1 Off-State Current vs. Junction Temperature

100

1.1

V = (T )

BO J

= (T = 25°C)

1.05

T = 25°C

0.95

-25

175

150

-50

50 75 100 125

T , JUNCTION TEMPERATURE (ºC)

V , ON-STATE VOLTAGE (V)

Fig. 3 Relative Variation of Breakover Voltage

vs. Junction Temperature

Fig. 4 On-State Current vs. On-State Voltage

1.5

T = 25°C

C = (V )

O R

f = 1 Mhz

RMS

= 1V

= (V = 1V)

0.5

I_H= (T_J)

I_H= (T_J= 25°C)

0.1

-50

-25

100 125

V , REVERSE VOLTAGE (V)

100

T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)

Fig. 6 Relative Variation of Junction Capacitance

vs. Reverse Voltage Bias

Fig. 5 Relative Variation of Holding Current vs.

Junction Temperature

DS30359 Rev. 2 - 1

3 of 4

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1 234

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