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TB1100L-7

更新时间： 2024-01-09 03:29:49

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美台 - DIODES		光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	83K
描述
Silicon Surge Protector, 15A, PLASTIC, SMB, 2 PIN

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技术参数
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TB1100L-7 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-C2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.39
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最大断态直流电压：	90 V	最大维持电流：	800 mA
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	JESD-609代码：	e0
通态非重复峰值电流：	15 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	235	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Silicon Surge Protectors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
触发设备类型：	SILICON SURGE PROTECTOR	Base Number Matches：	1

TB1100L-7 数据手册

1.2

100

1.15

V_BR= (T_J)

V_BR= (T_J= 25°C)

1.1

1.05

0.1

0.01

V_DRM= 50V

0.95

0.9

-50

125

75 100 150 175

-25

0.001

-25

100 125

150

T_J, JUNCTION

TEMPERATURE (°C)

Fig. 2 Relative Variation of Breakdown Voltage

vs. Junction Temperature

T_J, JUNCTION TEMPERATURE (°C)

Fig. 1 Off-State Current vs. Junction Temperature

1.1

100

V_BO= (T_J)

V_BO= (T_J= 25°C)

1.05

T_j= 25°C

0.95

-25

175

150

-50

50 75 100 125

T , JUNCTION TEMPERATURE (ºC)

Fig. 3^JRelative Variation of Breakover Voltage

vs. Junction Temperature

V_T, ON-STATE VOLTAGE (V)

Fig. 4 On-State Current vs. On-State Voltage

1.5

T_j= 25°C

C_O= (V_R

)

f = 1 Mhz

V_RMS= 1V

C_O= (V_R= 1V)

0.5

I_H= (T_J)

I_H= (T_J= 25°C)

0.1

-50

-25

100 125

V_R, REVERSE VOLTAGE (V)

100

T_J, JUNCTION TEMPERATURE (°C)

Fig. 5 Relative Variation of Holding Current vs.

Junction Temperature

Fig. 6 Relative Variation of Junction Capacitance

vs. Reverse Voltage Bias

DEVELOPMENT

UNDER

DS30359 Rev. 1 - 1

3 of 4

TB0640L - TB3500L

1 234

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