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TB1100L PDF预览

TB1100L

更新时间： 2024-02-11 17:14:58
品牌 Logo 应用领域
台湾光宝 - LITEON 光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 49K
描述
SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE

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TB1100L 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-C2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.69Is Samacsys：N
最大转折电压：130 V配置：SINGLE
最大断态直流电压：90 V最大维持电流：800 mA
JESD-30 代码：R-PDSO-C2通态非重复峰值电流：25 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：255
认证状态：Not Qualified子类别：Silicon Surge Protectors
表面贴装：YES端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SILICON SURGE PROTECTORBase Number Matches：1

TB1100L 数据手册

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℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ TA= 25 unless otherwise specified  
TB0640L thru TB3500L  
RATED  
OFF-STATE  
LEAKAGE  
CURRENT  
@ VDRM  
ON-STATE  
VOLTAGE  
T
@ I =1.0A  
REPETITIVE  
OFF-STATE  
VOLTAGE  
BREAKOVER  
VOLTAGE  
BREAKOVER  
CURRENT  
HOLDING  
CURRENT  
OFF-STATE  
CAPACITANCE  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNITS  
V
DRM  
I
DRM  
V
BO  
V
T
I
BO  
-
I
BO+  
I
H-  
I
H+  
Co  
pF  
Volts  
Max  
uA  
Volts  
Max  
Volts  
Max  
mA  
Min  
mA  
mA  
Min  
mA  
LIMIT  
Max  
Max  
Max  
Typ  
58  
65  
5
5
77  
88  
3.5  
3.5  
50  
50  
800  
800  
150  
150  
800  
800  
100  
100  
TB0640L  
TB0720L  
TB0900L  
TB1100L  
TB1300L  
75  
5
98  
3.5  
50  
800  
150  
800  
100  
90  
5
5
130  
160  
3.5  
3.5  
50  
50  
800  
800  
150  
150  
800  
800  
60  
60  
120  
TB1500L  
TB1800L  
140  
5
180  
3.5  
50  
800  
150  
800  
60  
160  
190  
5
5
220  
265  
3.5  
3.5  
50  
50  
800  
800  
150  
150  
800  
800  
60  
40  
TB2300L  
TB2600L  
TB3100L  
220  
275  
320  
5
5
5
300  
350  
400  
3.5  
3.5  
3.5  
50  
50  
50  
800  
800  
800  
150  
150  
150  
800  
800  
800  
40  
40  
40  
TB3500L  
I
SYMBOL  
PARAMETER  
V
DRM  
Stand-off Voltage  
I
PP  
I
DRM  
Leakage current at stand-off voltage  
Breakdown voltage  
V
BR  
I
BO  
I
H
I
BR  
Breakdown current  
I
BR  
I
DRM  
V
BO  
Breakover voltage  
Breakover current  
V
V
BR  
I
BO  
V
DRM  
V
BO  
V
T
I
H
Holding current  
On state voltage  
Note: 1  
V
T
Peak pulse current  
I
PP  
C
O
Off state capacitance  
Note: 2  
REV. 0, 15-Nov-2001, KSWB05  
H L L  
NOTES: 1. I > (V /R ) If this criterion is not obeyed, the TSPD Triggers but does not return correctly to high-resistance state.  
The Surge recovery time does not exceed 30ms.  
2. Off-state capacitance measured at f=1.0MHz; 1.0VRMS signal; VR=2VDC bias.  
1234

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