TB1100L-13-F

更新时间： 2024-01-26 22:08:05

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美台 - DIODES		触发装置硅浪涌保护器光电二极管
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4页	76K
描述
30A BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE

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TB1100L-13-F 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-C2
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.30.00.80
Factory Lead Time：	12 weeks	风险等级：	5.37
Is Samacsys：	N	其他特性：	UL RECOGNIZED
最大转折电压：	130 V	配置：	SINGLE
最大断态直流电压：	90 V	最大维持电流：	800 mA
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	通态非重复峰值电流：	15 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Silicon Surge Protectors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	触发设备类型：	SILICON SURGE PROTECTOR
Base Number Matches：	1

TB1100L-13-F 数据手册

1.2

100

1.15

V_BR= (T_J)

V_BR= (T_J= 25°C)

1.1

1.05

0.1

0.01

V_DRM= 50V

0.95

0.9

-50

125

75 100 150 175

-25

0.001

-25

100 125

150

T_J, JUNCTION

TEMPERATURE (°C)

Fig. 2 Relative Variation of Breakdown Voltage

vs. Junction Temperature

T_J, JUNCTION TEMPERATURE (°C)

Fig. 1 Off-State Current vs. Junction Temperature

100

1.1

V_BO= (T_J)

V_BO= (T_J= 25°C)

1.05

T_j= 25°C

0.95

-25

175

150

-50

50 75 100 125

T , JUNCTION TEMPERATURE (ºC)

Fig. 3^JRelative Variation of Breakover Voltage

vs. Junction Temperature

V_T, ON-STATE VOLTAGE (V)

Fig. 4 On-State Current vs. On-State Voltage

1.5

T_j= 25°C

C_O= (V_R

)

f = 1 Mhz

_RMS= 1V

C_O= (V_R= 1V)

0.5

I_H= (T_J)

I_H= (T_J= 25°C)

0.1

-50

-25

100 125

V_R, REVERSE VOLTAGE (V)

100

T_J, JUNCTION TEMPERATURE (°C)

Fig. 5 Relative Variation of Holding Current vs.

Junction Temperature

Fig. 6 Relative Variation of Junction Capacitance

vs. Reverse Voltage Bias

DS30359 Rev. 6 - 2

3 of 4

TB0640L - TB3500L

www.diodes.com

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