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T72H0835B4DN

更新时间: 2024-02-09 20:15:50
品牌 Logo 应用领域
POWEREX 栅极
页数 文件大小 规格书
4页 3775K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 350000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, CASE T72, 3 PIN

T72H0835B4DN 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:DISK BUTTON, O-XXDB-X3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.82
配置:SINGLE关态电压最小值的临界上升速率:300 V/us
最大直流栅极触发电流:150 mA最大直流栅极触发电压:3 V
JESD-30 代码:O-XXDB-X3最大漏电流:35 mA
通态非重复峰值电流:8000 A元件数量:1
端子数量:3最大通态电流:350000 A
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:550 A
断态重复峰值电压:800 V重复峰值反向电压:800 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:YES
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

T72H0835B4DN 数据手册

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