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T6V80HDT

更新时间: 2024-01-29 22:42:28
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其他 - ETC 晶体晶体管
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1页 102K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 800V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-220VAR

T6V80HDT 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SFM包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最大集电极电流 (IC):6 A
集电极-发射极最大电压:800 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):7JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:2元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):240
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:50 W
最大功率耗散 (Abs):50 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):7 MHz最大关闭时间(toff):3500 ns
最大开启时间(吨):500 nsVCEsat-Max:1.5 V
Base Number Matches:1

T6V80HDT 数据手册

  

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