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T675S30TTC

更新时间： 2024-09-25 14:38:35

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英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
5页	90K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1270000mA I(T), 3000V V(DRM)

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T675S30TTC 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	关态电压最小值的临界上升速率：	500 V/us
最大直流栅极触发电流：	250 mA	最大直流栅极触发电压：	2.2 V
最大维持电流：	300 mA	最大漏电流：	150 mA
通态非重复峰值电流：	18000 A	最大通态电压：	3.75 V
最大通态电流：	1270000 A	最高工作温度：	120 °C
最低工作温度：	-40 °C	断态重复峰值电压：	3000 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

T675S30TTC 数据手册

Technische Information / Technical Information

Schneller Thyristor

Fast Thyristor

T 675 S 26 ... 30

Elektrische Eigenschften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

T_vj= - 40°C...T_{vj max}

T_vj= + 25°C...T_{vj max}

V_DRM, V_RRM

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

2600

2800

3000

V_DSM

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

2600

2800

3000

non-repetitive peak foward off-state voltage

V_RSM

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

2700

2900

3100

I_TRSMSM

I_TAVM

I_TSM

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

RMSM on-state current

Dauergrenzstrom

2000

T_C= 85 °C

675

T_C= 31 °C

average on-state current

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

1274

T_vj= 25°C, tp = 10 ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 10 ms

18000

16000

T_vj= 25°C, tp = 10ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 10ms

Grenzlastintegral

I²t-value

I²t

1620x10³

1280x10³

A²s

(di_T/dt)_cr

Kritische Stromsteilheit

DIN IEC 747-6

250

A/µs

f=50 Hz, i_GM= 1 A

di_G/dt = 1 A/µs

critical rate of rise of on-state current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

(dv_D/dt)_cr

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

5. Kennbuchstabe / 5th letter B

5. Kennbuchstabe / 5th letter C

5. Kennbuchstabe / 5th letter L

5. Kennbuchstabe / 5th letter M

V/µs

500

1000

500 V/µs

50 V/µs

500 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

on-state voltage

T_vj= T_{vj max}, i_T= 3500 A

v_T

max. 3,75

T_vj= T_{vj max}

V_T(TO)

Schleusenspannung

threshold voltage

1,5

T_vj= T_{vj max}

r_T

Ersatzwiderstand

0,58

mŒ

slope resistance

T_vj= 25°C, v_D=12 V

T_vj= 25°C, v_D= 12V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

Zündstrom

max. 250

gate trigger current

Zündspannung

max. 2,2

max. 10

gate trigger voltage

Nicht zündener Steuerstrom

gate non-trigger current

Nicht zündene Steuerspannung

gate non-trigger voltage

Haltestrom

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12 V

T_vj= T_{vj max},v_D= 0,5 V_DRM

max.

max. 0,25

max. 300

max. 1500

T_vj= 25°C, v_D= 12 V, R_A= 10 Œ

holding current

T_vj= 25°C, v_D= 12 V, R_GK>= 10 Œ

I_L

Einraststrom

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

t_g= 20 µs

latching current

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse currents

Zündverzug

max. 150

max. 2,2

µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

t_gd

DIN IEC 747-6

T_vj= 25°C

gate controlled delay time

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

1) Werte nach DIN IEC 747-6 (ohne vorausgehende Kommutierung). / Values to DIN IEC 747-6 (without prior commutation).

2) Unmittelbar nach der Freiwerdezeit, vgl. Meßbedingungen für t_q./ Immediately after circuit commutated turn-off-time,

see parameters t_q.

SZ-M / 15.05.95, K.-A.Rüther

/ 95

Seite/page 1 (5)

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