Datasheet > T410-600T

T410-600T

更新时间： 2024-01-03 02:23:52

品牌	Logo	应用领域
APOLLOELECTRON		三端双向交流开关栅
页数	文件大小	规格书
5页	1325K
描述
Sensitive Gate Triac

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

T410-600T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.28
Is Samacsys：	N	关态电压最小值的临界上升速率：	40 V/us
最大直流栅极触发电流：	10 mA	最大直流栅极触发电压：	1.3 V
最大维持电流：	15 mA	JESD-609代码：	e3
最大漏电流：	1 mA	湿度敏感等级：	1
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
峰值回流温度（摄氏度）：	225	最大均方根通态电流：	4 A
断态重复峰值电压：	600 V	子类别：	TRIACs
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	TRIAC
Base Number Matches：	1

T410-600T 数据手册

TP4A60S

Electrical Characteristics

Ratings

Typ.

Symbol

Items

Conditions

Unit

Min.

Max.

_D= V_DRM, Single Phase, Half Wave

Repetitive Peak Off-State

Current

I_DRM

V_TM

Tj = 125 °C

---

─

---

─

2.0

1.7

Peak On-State Voltage

ITM = 5.5A, tp=380㎲

I⁺

Ⅰ

GT1

I ^-

_D= 12V, R_L=30 Ω

Gate Trigger Current

Ⅱ

─

GT1

I ^-

Ⅲ

─

---

GT3

I⁺GT4

1.5

V⁺_GT1

---

Ⅰ

_D= 12 V, R_L=30 Ω

---

1.5

─

Gate Trigger Voltage

V GT1

Ⅱ

V_G^-_T3

─

Ⅲ

GT4

---

V_GD

T^j= 125 °C, V_D=VDRM RL=3.3kΩ

Non-Trigger Gate Voltage

0.25

---

─

T^j= 125 °C,

V_D=2/3 V_DRM

Critical Rate of Rise Off-State

Voltage

dv/dt

I_H

V/㎲

─

Holding Current

It=0.1A

---

2/5

123 4 5

中文翻译

下载PDF

与T410-600T相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
T410-600-T	STMICROELECTRONICS	600V, 4A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN	获取价格
T410-600TTR	STMICROELECTRONICS	4A TRIACS	获取价格
T410-600T-TR	STMICROELECTRONICS	4A TRIACS	获取价格
T410-600W	STMICROELECTRONICS	4A TRIACS	获取价格
T410-600W	JJM	4A TRIACs	获取价格
T410-600-W	STMICROELECTRONICS	暂无描述	获取价格