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T410-400K

更新时间： 2024-01-02 09:28:39

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		局域网栅三端双向交流开关栅极
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7页	95K
描述
400V, 4A, TRIAC

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T410-400K 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-G3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.72	其他特性：	SENSITIVE GATE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
换向电压的临界上升率-最小值：	1.8 V/us	关态电压最小值的临界上升速率：	50 V/us
最大直流栅极触发电流：	10 mA	最大直流栅极触发电压：	1.5 V
最大维持电流：	15 mA	JESD-30 代码：	R-PSFM-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	4 A
断态重复峰值电压：	400 V	子类别：	TRIACs
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	TRIAC	Base Number Matches：	1

T410-400K 数据手册

T410 / T435

THERMAL RESISTANCES

Symbol

Parameter

Value

100

Unit

Rth (j-a)

Junction to ambient

SOT82 / SOT194

TO220AB

°C/W

ISOWATT220AB

Rth (j-c) DC Junction to case for DC

SOT82 / SOT194

TO220AB

3.5

°C/W

ISOWATT220AB

5.3

2.6

Rth (j-c) AC Junction to case for 360° conduction angle SOT82 / SOT194

( F= 50 Hz)

TO220AB

ISOWATT220AB

GATE CHARACTERISTICS (maximum values)

= 1 W

= 10 W (tp = 20 µs)

= 4 A (tp = 20 µs)

V = 16 V (tp = 20 µs).

G(AV)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol

Test Conditions

Quadrant

Suffix

Unit

T410

T435

V =12V (DC) R =33Ω

Tj=25°C

Tj=125°C

Tj=25°C

I-II-III

MAX

MIN

V =12V (DC) R =33Ω

1.5

0.2

V =V

R =3.3kΩ

DRM

tgt

V =V

= 500mA

TYP

µs

dI /dt = 3A/µs

= 5.5A

=1.2 I

Tj=25°C

Tj=125°C

I-II-III

MAX

MIN

G GT

I = 100mA gate open

= 5.5A tp= 380µs

1.75

0.01

Rated

DRM

RRM

DRM

RRM

dV/dt *

Linear slope up to

V =67%V

gate open

250

V/µs

DRM

400V / 600V

DRM

700V / 800V

(dI/dt)c *

dV/dt = 0.1V/µs

dV/dt = 20V/µs

Tj=125°C

MIN

2.7

1.8

4.4

2.7

A/ms

* For either polarity of electrode A voltage with reference to electrode A .

2/7

123 4 5 6 7

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