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T1258N

更新时间： 2024-02-24 03:38:08

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EUPEC		栅极
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10页	274K
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Phase Control Thyristor

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T1258N 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	250 mA
JESD-30 代码：	O-CEDB-N2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	2500 A
断态重复峰值电压：	200 V	重复峰值反向电压：	200 V
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	END	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

T1258N 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T1258N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

200 V

400 V

600 V

200 V

400 V

600 V

250 V

450 V

650 V

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DRM,V_RRM

enndaten

^{repetitive peak forward off-state and re}E^verl^se^{e v}k^oltt^agr^ei^ssche Eigenschaften

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

T_vj= -40°C... T_{vj max}

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_DSM

non-repetitive peak forward off-state voltage

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

V_RSM

2500 A

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

1258 A

1600 A

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 85 °C

T_C= 67 °C

23000 A

20000 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_TSM

2650 10³ A²s

2000 10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 60747-6

120 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

critical rate of rise of on-state current

1000 V/µs

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

5.Kennbuchstabe / 5^thletter F

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

on-state voltage

max.

1,50 V

1,15 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 4,5 kA

T_vj= T_{vj max}, i_T= 1 kA

v_T

1,00 V

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,10 mΩ

Ersatzwiderstand

slope resistance

Durchlaßkennlinie

on-state characteristic

500 A ≤ i_T≤ 6000 A

1,132E+00

5,833E-05

-3,109E-02

5,426E-03

v_T= A + B i_T+ C ln(i_T+ 1) + D

i_T

Zündstrom

T_vj= 25 °C, v_D= 12V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

250 mA

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

max.

1,5 V

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

10 mA

5 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

T_vj= 25°C, v_D= 12V

max.

0,2 V

Haltestrom

holding current

max.

300 mA

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 12V, R_GK≥ 10 Ω

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs, t_g= 20 µs

I_L

max. 1200 mA

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

80 mA

4 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

Zündverzug

gate controlled delay time

DIN IEC 60747-6

T_vj= 25 °C, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

H.Sandmann

date of publication: 2006-09-06

prepared by:

revision:

approved by: J.Przybilla

A 513 MT3 / 21.10.87, K.-A. Rüther

A 22/87

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与T1258N相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
T1258N02TOF	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 1600000mA I(T), 200V V(DRM)	获取价格
T1258N04TOF	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 1600000mA I(T), 400V V(DRM)	获取价格
T1258N06TOF(VT)	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier,	获取价格
T1258N06TOFHOSA1	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier	获取价格
T1258N200TOC	VISHAY	Silicon Controlled Rectifier, 1260000mA I(T), 200V V(DRM),	获取价格
T1258N200TOF	VISHAY	Silicon Controlled Rectifier, 1260000mA I(T), 200V V(DRM),	获取价格

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