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T0900TA52E

更新时间： 2024-01-04 03:17:01

品牌	Logo	应用领域
IXYS		栅晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	401K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1180A I(C), 5200V V(BR)CES, N-Channel, TA, 4 PIN

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技术参数
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T0900TA52E 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	1180 A
集电极-发射极最大电压：	5200 V	配置：	SINGLE
JESD-30 代码：	O-CXDB-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	5100 ns	标称接通时间 (ton)：	4200 ns
Base Number Matches：	1

T0900TA52E 数据手册

WESTCODE ^AnIXYS Company

Insulated Gate Bi-polar Transistor Type T0900TA52E

Curves

Figure 1 – Typical collector-emitter saturation

voltage characteristics

Figure 2 – Typical output characteristic

1400

10000

T0900TA52E

AD Issue 2

T0900TA52E

AD Issue 2

T_j= 25°C

V_GE=+15V

1200

V_GE= 20V

_GE= 18V

_GE= 15V

_GE= 13V

1000

800

600

400

200

T_j=25°C

T_j=125°C

1000

100

V_GE= 12V

_GE= 10V

Collector to emitter saturation voltage -V_CE(SAT)(V)

Collector to emitter saturation voltage - V_CE(sat)(V)

Figure 3 – Typical output characteristic

Figure 4 – Typical turn-on gate charge

1400

T0900TA52E

AD Issue 2

T0900TA52E

AD Issue 2

T_j= 125°C

V_CE=2600V

V_GE=±15V

T_j=125°C

1200

V_GE= 20V

_GE= 18V

V_GE= 15V

V_GE= 13V

V_GE= 12V

V_GE= 10V

I_C=900A

1000

800

600

400

200

I_C=500A

Collector to emitter saturation voltage -V_CE(SAT)(V)

Gate resistance - R_G(on)(Ω)

Provisional Data Sheet T0900TA52E Issue 2

Page 3 of 7

June, 2003

1 234 5 6 7

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