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T0900EB45A

更新时间： 2024-01-08 10:44:01

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力特 - LITTELFUSE		栅晶体管
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8页	409K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 900A I(C), 4500V V(BR)CES, N-Channel,

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T0900EB45A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.73
最大集电极电流 (IC)：	900 A	集电极-发射极最大电压：	4500 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JESD-30 代码：	O-CXDB-X3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UNSPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	4300 ns
标称接通时间 (ton)：	5600 ns	Base Number Matches：	1

T0900EB45A 数据手册

WESTCODE An IXYS Company

Insulated Gate Bi-polar Transistor Type T0900EB45A

Figure 9 – Turn-off energy vs voltage

Figure 10 – Safe operating area

4000

2500

2000

1500

1000

500

T0900EB45A

T0900EA45A

AD Issue 1

I_C=900A

V_GE=±15V

Maximum L_S=250nH

T_j=125°C

R_G(off)=5Ω

C_GE=100nF

3500

3000

2500

2000

1500

1000

500

_GE=±15V

T_j=125°C

I_C=500A

I_C=300A

500

1000

2000

3000

4000

5000

1000

1500

2000

2500

3000

Gollector-emitter voltage - V_CE(V)

Collector-emitter voltage - V_CE(V)

Figure 11 – Typical diode forward characteristic

Figure 12 – Typical recovered charge

10000

1100

T0900EB45A

Issue 1

AD Issue 1

I_F=900A

T_j=125°C

T_j=25°C

900

700

500

300

T_j=125°C

1000

100

T_j=25°C

500

1000

1500

2000

2500

Instantaneous forward voltage - V_F(V)

Commutation rate - di/dt (A/µs)

Provisional Data Sheet T0900EB45A Issue 1

Page 6 of 8

October, 2008

1...3 4 567 8

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与T0900EB45A相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
T0900TA52E	IXYS	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1180A I(C), 5200V V(BR)CES, N-Channel, TA, 4 PIN	获取价格
T090312	ETC	Professional quality Hacksaws and Junior Hacksaws	获取价格
T0905	ATMEL	General- purpose VHF/UHF Power Amplifier (135 to 600 MHz)	获取价格
T0905-TSPH	ATMEL	General- purpose VHF/UHF Power Amplifier (135 to 600 MHz)	获取价格
T0930	ATMEL	SiGe Power Amplifier for CW Applications	获取价格
T0930-TJQ	ATMEL	SiGe Power Amplifier for CW Applications	获取价格