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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | UNCASED CHIP, R-XUUC-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | HIGH SPEED |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE | JESD-30 代码： | R-XUUC-N2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | UNCASED CHIP | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| T-IXGD12N100 | IXYS | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1000V V(BR)CES, N-Channel |
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| T-IXGD12N100A | IXYS | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1000V V(BR)CES, N-Channel |
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| T-IXGD17N100 | IXYS | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1000V V(BR)CES, N-Channel |
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| T-IXGD17N100A | IXYS | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1000V V(BR)CES, N-Channel |
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| T-IXGD200N60 | IXYS | Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel |
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| T-IXGD200N60A | IXYS | Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel |
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