是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.65 | 最大击穿电压: | 5.88 V |
最小击穿电压: | 5.32 V | 击穿电压标称值: | 5.6 V |
最大钳位电压: | 8 V | 配置: | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JEDEC-95代码: | TO-236 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
最大非重复峰值反向功率耗散: | 24 W | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 0.225 W |
参考标准: | AEC-Q101; IEC-61000-4-2 | 最大重复峰值反向电压: | 3 V |
最大反向电流: | 5 µA | 反向测试电压: | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | ZENER |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SZMMBZ6V2ALT1G | ONSEMI |
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Dual Common Anode Zener Diode Protection |
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SZMMBZ6V8ALT1G | ONSEMI |
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Dual Common Anode Zener Diode Protection |
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SZMMBZ6V8ALT3G | ONSEMI |
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Dual Common Anode Zener Diode Protection |
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SZMMBZ9V1ALT3G | ONSEMI |
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Dual Common Anode Zener Diode Protection |
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SZMMBZH12VAWT1G | ONSEMI |
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40W 双共阳极齐纳二极管系列,+175°C |
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SZMMBZH15VAWT1G | ONSEMI |
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40W 双共阳极齐纳二极管系列,+175°C |
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SZMMBZH18VALT1G | ONSEMI |
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24 & 40W Dual Common Anode Zener Diode Series |
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SZMMBZH20VAWT1G | ONSEMI |
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Rectifier Diode |
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SZMMBZH33VAWT1G | ONSEMI |
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Rectifier Diode |
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SZMMQA12VT1G | ONSEMI |
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ESD 保护器,共阳极,SC-59 |
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