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SVTP209R7NP7

更新时间： 2024-04-09 19:03:25

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士兰微 - SILAN		/
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TO-247-3L

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SVTP209R7NP7 数据手册

士兰微电子

SVTP209R7NP7 说明书

典型特性曲线（续）

图7. 电容特性

图 8. 电荷量特性

100000

10000

1000

100

Ciss

Coss

Crss

Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted)

Coss=Cds+Cgd

Crss=Cgd

V_DS=80V

V_DS=50V

V_DS=20V

注：

1. V_GS=0V

2. f=1MHz

注： I_D=81A

120

160

200

240

120

160

200

漏源电压 - V_DS(V)

总栅极电荷 - Q_G(nC)

图 9. 击穿电压 vs. 温度特性

图 10. 导通电阻 vs. 温度特性

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

注：

1. V_GS=0V

2. I_D=5mA

注：

1. V_GS=10V

2. I_D=81A

-100

-50

100

150

200

-100

-50

100

150

200

结温 - T_J(°C)

图 11. 最大安全工作区域

图 12. 耗散功率 vs. 温度

10³

10²

10¹

10⁰

10^-1

240

200

160

120

10μs

100μs

1ms

10ms

此区域工作受限于

R_DS(ON)

注：

1.I_D=f(V_DS);T_C=25°C；

2.单脉冲

10^-1

10⁰

10¹

10²

10³

100

125

150

175

漏源电压 – V_DS(V)

温度 - T_C(°C)

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.0

共 9 页第 5 页

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