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SVTP209R7NP7

更新时间： 2024-04-09 19:03:25

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士兰微 - SILAN		/
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TO-247-3L

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SVTP209R7NP7 数据手册

士兰微电子

SVTP209R7NP7 说明书

电气参数（除非特殊说明，T_J=25C）

静态参数

参数值

单位

参数

漏源击穿电压

符号

BV_DSS

I_DSS

测试条件

V_GS=0V，I_D=250µA

最小值

典型值

最大值

200

µA

V_DS=200V，V_GS=0V，T_J=25C

V_DS=200V，V_GS=0V，T_J=125C

V_GS=±20V，V_DS=0V

V_GS=V_DS，I_D=250µA

V_GS=10V，I_D=81A

1.0

漏源漏电流

栅源漏电流

栅极开启电压

导通电阻

I_GSS

V_GS(th)

R_DS(on)

R_g

±100

4.5

9.7

3.5

8.5

1.4

m



栅极电阻

f=1MHz

动态参数

参数值

典型值

10544

793

307

参数

符号

测试条件

单位

最小值

最大值

输入电容

C_iss

C_oss

C_rss

t_d(on)

t_r

输出电容

f=1MHz，V_GS=0V，V_DS=50V

反向传输电容

开启延迟时间

开启上升时间

关断延迟时间

关断下降时间

栅极电荷量

V_DD=130V，V_GS=10V，R_G=2.7Ω，

I_D=81A

t_d(off)

t_f

（注 4，5）

Q_g

185

栅极-源极电荷量

栅极-漏极电荷量

栅极-平台电压

反向二极管特性参数

Q_gs

Q_gd

V_plateau

V_DD=100V，V_GS=10V，I_D=81A

（注 4，5）

6.8

参数值

典型值

参数

符号

测试条件

单位

最小值

最大值

130

520

1.4

连续二极管正向电流

二极管脉冲电流

源-漏二极管压降

反向恢复时间

I_S

I_S,pulse

V_SD

T_rr

MOS 管中源极、漏极构成的反偏 P-N

结

I_S=81A，V_GS=0V

126

0.79

µC

I_S=81A，V_GS=0V，V_R=100V

dI_F/dt=100A/µs

（注 4）

反向恢复电荷

Q_rr

注：

额定值仅指说明书中25度壳温下的最大绝对值，若壳温高于25度，需根据实际环境条件降额；

脉冲时间5µs，脉冲宽度受限于最大结温；

耗散功率值会随着温度变化而变化，当大于25C时耗散功率值随着温度每上升1度减少3.13W/C；

脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；

基本上不受工作温度的影响。

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.0

共 9 页第 3 页

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