5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > SUR70N02-04P-E3
SUR70N02-04P-E3 PDF预览

SUR70N02-04P-E3

更新时间： 2024-01-10 16:30:12
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
6页 120K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

SUR70N02-04P-E3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：37 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：93 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierBase Number Matches：1

SUR70N02-04P-E3 数据手册

 浏览型号SUR70N02-04P-E3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SUR70N02-04P-E3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SUR70N02-04P-E3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SUR70N02-04P-E3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SUR70N02-04P-E3的Datasheet PDF文件第6页 
SUR70N02-04P  
Vishay Siliconix  
New Product  
N-Channel 20-V (D-S) 175_C MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFET  
D 175_C Junction Temperature  
D PWM Optimized for High Efficiency  
D 100% Rg Tested  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)a  
0.0037 @ V = 10 V  
37  
29  
GS  
20  
APPLICATIONS  
0.0061 @ V = 4.5 V  
GS  
D Synchronous Buck Converter  
− Low Side  
D Synchronous Rectifier  
− Secondary Rectifier  
D
TO-252  
Reverse Lead DPAK  
G
Drain Connected to Tab  
G
D
S
Top View  
Ordering Information:  
SUR70N02-04P—E3  
SUR70N02-04P-T4—E3 (altrenate tape orientation)  
S
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
20  
DS  
GS  
V
V
"20  
a
T
= 25_C  
37  
A
a
Continuous Drain Current  
I
D
b
T = 25_C  
70  
C
Pulsed Drain Current  
I
100  
37  
A
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
Single Pulse Avalanche Current  
I
S
I
30  
AS  
L = 0.1 mH  
Single Pulse Avalanche Energy  
E
45  
mJ  
AS  
a
T
= 25_C  
= 25_C  
8.3  
A
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
93  
C
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
−55 to 175  
_C  
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
15  
40  
18  
50  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJC  
Steady State  
_C/W  
Maximum Junction-to-Case  
1.3  
1.6  
Notes  
a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.  
b. Limited by package  
Document Number: 72776  
S-32697—Rev. A, 19-Jan-04  
www.vishay.com  
1
123456

中文翻译

下载PDF

与SUR70N02-04P-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SUR805 SEMTECH

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 50V V(RRM), Silicon, G120, 2 PIN
SUR810 SEMTECH

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 100V V(RRM), Silicon, G120, 2 PIN
SUR8100 SIRECTIFIER

获取价格

 		快速恢复二极管Fast Recovery Diodes，软恢复特性超快恢复外延二极管Sof
SUR815 SEMTECH

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 150V V(RRM), Silicon, G120, 2 PIN
SUR81520G ONSEMI

获取价格

 		Switch-mode Power Rectifiers
SUR81560G ONSEMI

获取价格

 		Switch-mode Power Rectifiers
SUR820 SIRECTIFIER

获取价格

 		快速恢复二极管Fast Recovery Diodes，软恢复特性超快恢复外延二极管Sof
SUR860 SIRECTIFIER

获取价格

 		快速恢复二极管Fast Recovery Diodes，软恢复特性超快恢复外延二极管Sof
SUR860S SIRECTIFIER

获取价格

 		快速恢复二极管Fast Recovery Diodes，软恢复特性超快恢复外延二极管Sof
SUR8820G ONSEMI

获取价格

 		Switch-mode Power Rectifiers

与SUR70N02-04P-E3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证