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STT6N3LLH6

更新时间： 2023-12-20 18:45:37

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
页数	文件大小	规格书
12页	1055K
描述
N沟道30 V、0.021 Ohm、6 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET，SOT23-6L封装

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STT6N3LLH6 数据手册

STT6N3LLH6

N-channel 30 V, 0.021 Ω typ., 6 A STripFET™ VI DeepGATE™

Power MOSFET in a SOT23-6L package

Datasheet

production data

Features

Order code

V_DSSR_DS(on)max I_D

P_TOT

0.025 Ω

(V_GS= 10 V)

STT6N3LLH6

30 V

6 A 1.6 W

0.036 Ω

(V_GS= 4.5 V)

• R_DS(on)* Q_gindustry benchmark

SOT23-6L

• Extremely low on-resistance R_DS(on)

• High avalanche ruggedness

• Low gate drive power losses

Applications

Figure 1. Internal schematic diagram

• Switching applications

Description

This device is an N-channel Power MOSFET

developed using the 6^thgeneration of STripFET™

DeepGATE™ technology, with a new gate

structure. The resulting Power MOSFET exhibits

the lowest R_DS(on)in all packages.

Table 1. Device summary

Marking Package

STG1 SOT23-6L

Order code

Packaging

STT6N3LLH6

Tape and reel

March 2014

DocID023012 Rev 3

1/12

This is information on a product in full production.

www.st.com

12 3 4 5 6 7...12

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