Datasheet > STT5000N14P110

STT5000N14P110

更新时间： 2023-12-06 20:11:58

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
10页	795K
描述
1400 V 110 mm 压接式晶闸管/晶闸管模块

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

STT5000N14P110 数据手册

Technische Information /

technical information

Sanftanlauf-Modul

Soft Starter Module

sTT5000N14P110

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

1400 V

1450 V

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

V_DRM

V_RRM

Vorwärts- und Rückwärts Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak forward off-state and reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_DSM

V_RSM

4780

W1C Startstrom

W1C start current

sin.180°; t _start= 21s;

T_{vj max st}; T_{vj st0}= 40°C

I_{RMS st}

44.000

38.000

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25°C, t_P= 10ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10ms

I_TSM

9.680.000

7.220.000

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25°C, t_P= 10ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10ms

I²t

A²s

200

Kritische Stromsteilheit

critical rate of rise of on-state current

DIN IEC 747-6

f = 50Hz, i_GM= 1A, di_G/dt = 1A/µs

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

A/µs

1000

Kritische Spannungssteilheit

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

V/µs

critical rate of rise of off-state voltage

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

1,43 V

max.

T_vj= T_{vj max}, i_T= 5000 A

T_vj= T_{vj max}

v_T

on-state voltage

0,9 V

Schleusenspannung

threshold voltage

V_(TO)

max. 0,106 mΩ

Ersatzwiderstand

slope resistance

T_vj= T_{vj max}

r_T

max.

Zündstrom

T_vj= 25°C, v_D= 12V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

250 mA

2 V

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

max.

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

10 mA

5 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

0,25 V

Haltestrom

T_vj= 25°C, v_D= 12V, R_A= 1Ω

max.

300 mA

holding current

Einraststrom

T_vj= 25°C, v_D= 12V, R_GK≥ 10Ω

I_L

max. 1500 mA

latching current

i_GM= 1A, di_G/dt = 1A/µs, t_g= 20µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom W1C

forward off-state and reverse current W1C

T_vj= T_{vj max}

i_D+ i_R

t_gd

max.

400 mA

4 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

Zündverzug

DIN IEC 747-6

gate controlled delay time

T_vj= 25°C, i_GM= 1A, di_G/dt = 1A/µs

date of publication: 2021-03-23

prepared by:

revision:

3.4

approved by: ML

Date of Publication 2021-03-23

Revision: 3.4

Seite/page

2/9

123 4 5 6 7...10

下载PDF

与STT5000N14P110相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
STT5000N18P110	INFINEON	1800 V 110 mm 压接式晶闸管/晶闸管模块	获取价格
STT500GK	SIRECT	Thyristor-Thyristor Modules	获取价格
STT500GK08	SIRECTIFIER	晶闸管（可控硅）Thyristors (SCRs)，晶闸管/晶闸管模块Thyristor-	获取价格
STT500GK08T	SIRECT	Thyristor-Thyristor Modules	获取价格
STT500GK12	SIRECTIFIER	晶闸管（可控硅）Thyristors (SCRs)，晶闸管/晶闸管模块Thyristor-	获取价格
STT500GK12T	SIRECT	Thyristor-Thyristor Modules	获取价格