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STT190GK04B

更新时间： 2022-02-26 11:54:54

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Thyristor-Thyristor Modules

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STT190GK04B 数据手册

STT190GKXXB

Thyristor-Thyristor Modules

Case Temperature（Single phase half wave）

Transient Thermal Impedance

１５

１４

１３

１２

０．１４�

０．１２�

Per one element

Junction to Case

360

θ ：Conduction Angle

０．１０�

０．０８�

０．０６�

０．０４�

１１

１０

９

Per one element

０．０２�

０．００�

θ＝30゜

θ＝90゜

θ＝120゜

θ＝180゜

D.C.

θ＝60゜

ー３�

ー２�

ー１�

０�

１�

１０

０

１０２� ５�１０２� ５�１０２� ５� １０２� ５�１０

Average On-State Current（A）

Time t（sec）�

Surge On-State Current Rating�

On-State Voltage max

（Non-Repetitive）�

６０００�

２�

Per one element

Tj＝25℃�

３�

５０００�

４０００�

１０

５�

６０H z

２�

３０００�

２�

１０

２０００�

１０００�

５�

２�

１�

１０

０�

１�

２�

０�

１．０�

１．５�

２．０�

１�

２�

５�

１０

２�

５�

１０

On-State Voltage（V）�

Time（cycles）�

Average On-State Current Vs Power Dissipation�

（Single phase half wave）

Gate Characteristics

４００�

２�

流�

D.C.

Peak Forward Gate Voltag（10V）�

１�

１０

３００�

２００�

１００�

５�

θ＝180゜�

θ＝120゜�

θ＝ 9 0゜�

θ＝ 6 0゜�

θ＝30゜�

２�

�

１０

360^。�

25℃�

－30℃�

150℃�

: Conduction Angle

５�

Per one element

Maximum Gate Voltage that will not terigger any unit

２�

０�

�

１�

２�

３�

０

１００�

２００�

３００�

１０

２�

５� １０

２�

５� １０

２�

５�

Average On-State Curren（t A）�

Gate Curren（t mA）�

Tel: +86-519-86800000 Fax: +86-519-88019019 E-mail: sales@sirectifier.com

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