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STT1NF100

更新时间： 2024-01-27 17:48:29

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
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描述
N-CHANNEL 100V - 0.7ohm - 1A SOT23-6L STripFET⑩ II POWER MOSFET

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STT1NF100 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SOT-23, 6 PIN
针数：	6	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.81
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1 A	最大漏极电流 (ID)：	1 A
最大漏源导通电阻：	0.8 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.6 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	4 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STT1NF100 数据手册

STT1NF100

N-CHANNEL 100V - 0.7Ω - 1A SOT23-6L

STripFET™ II POWER MOSFET

PRELIMINARY DATA

TYPE

DSS

DS(on)

STT1NF100

100V

<0.8Ω

■

TYPICAL R

= 0.7Ω

DS(on)

■

EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY

VERY LOW Qg

SOT23-6L

DESCRIPTION

This Power MOSFET is the latest development of ST-

Microelectronics unique “Single Feature Size™” strip-

based process. The resulting transistor shows ex-

tremely high packing density for low on-resistance,

rugged avalance characteristics and less critical align-

ment steps therefore a remarkable manufacturing re-

producibility.

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

APPLICATIONS

■

DC-DC & DC-AC CONVERTERS

DC MOTOR CONTROL (DISK DRIVES, etc.)

SYNCHRONOUS RECTIFICATION

MARKING

STQ0

■

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Parameter

Value

100

± 20

Unit

Drain-source Voltage (V = 0)

Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)

DGR

Gate- source Voltage

Drain Current (continuous) at T = 25°C

Drain Current (continuous) at T = 100°C

0.6

( )

Drain Current (pulsed)

TOT

Total Dissipation at T = 25°C

1.6

Derating Factor

0.013

W/°C

V/ns

dv/dt(1)

Peak Diode Recovery voltage slope

Storage Temperature

stg

– 55 to 150

°C

Max. Operating Junction Temperature

(●) Pulse width limited by safe operating area

(1) I ≤1A, di/dt ≤350A/µs, V ≤ V

, T ≤ T

j JMAX.

(BR)DSS

September 2002

1/6

12 3 4 5 6

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