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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | ![]() |
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页数 | 文件大小 | 规格书 |
15页 | 883K | ![]() |
描述 | ||
N沟道600 V、0.29 Ohm典型值、12 A MDmesh M6功率MOSFET,PowerFLAT 5x6 HV封装 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STL16N65M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道650 V、0.325 Ohm典型值、7.5 A MDmesh M2功率MOSFET |
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STL16N65M5 | STMICROELECTRONICS |
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2A, 650V, 0.299ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 8 X 8 MM, ROHS COMPLIANT, POWERFLAT-4 |
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STL17N3LLH6 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 30 V, 0.0038 Ω, 17 A PowerFLAT?(3.3 |
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STL17N60M6 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.29 Ohm典型值、12 A MDmesh M6功率MOSFET,P |
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STL180N6F7 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道60 V、1.9 mOhm典型值、120 A STripFET F7功率MOSFET |
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STL18N55M5 | STMICROELECTRONICS |
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2.4A, 550V, 0.24ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 8 X 8 MM, ROHS COMPLIANT, POWERFLAT-4 |
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STL18N60M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.278 Ohm典型值、9 A MDmesh M2功率MOSFET,P |
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STL18N60M6 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、255 mOhm典型值、9 A MDmesh M6功率MOSFET,Po |
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STL18N65M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道650 V、0.29 Ohm典型值、8 A MDmesh M2功率MOSFET,Po |
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STL18N65M5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道650 V、0.215 Ohm典型值、15 A MDmesh M5功率MOSFET, |
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