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| 生命周期： | Active | 包装说明： | DIP, |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.7 |
| 最长访问时间： | 35 ns | JESD-30 代码： | R-CDIP-T28 |
| 内存密度： | 65536 bit | 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 8192 words |
| 字数代码： | 8000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 8KX8 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | DIP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| STK14C68-5C45 | ETC | NVRAM (EEPROM Based) |
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| STK14C68-5C45I | ETC | NVRAM (EEPROM Based) |
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| STK14C68-5L25 | ETC | NVRAM (EEPROM Based) |
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| STK14C68-5L25I | ETC | NVRAM (EEPROM Based) |
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| STK14C68-5L30 | ETC | NVRAM (EEPROM Based) |
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| STK14C68-5L30I | ETC | NVRAM (EEPROM Based) |
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