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STK12C68-5K35I

更新时间： 2024-02-04 06:41:47

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其他 - ETC		静态存储器
页数	文件大小	规格书
13页	371K
描述
8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS Nonvolatile Static RAM

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STK12C68-5K35I 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	0.300 INCH, CERAMIC, MO-058, DIP-28
针数：	28	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.78	最长访问时间：	35 ns
其他特性：	RETENTION/ENDURANCE = 10 YEARS/100000 CYCLES	JESD-30 代码：	R-CDIP-T28
JESD-609代码：	e0	长度：	35.56 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	8192 words	字数代码：	8000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	8KX8
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP28,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	4.14 mm
最大待机电流：	0.004 A	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.085 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

STK12C68-5K35I 数据手册

STK12C68

SOFTWARE-CONTROLLED STORE/RECALL CYCLE^v

(V_CC= 5.0V ± 10%)^e

SYMBOLS

STK12C68-25 STK12C68-35 STK12C68-45 STK12C68-55

NO.

PARAMETER

UNITS NOTES

Standard Alternate

MIN

MAX

MIN

MAX

MIN

MAX

MIN

MAX

STORE/RECALL Initiation Cycle Time

Address Set-up Time

Clock Pulse Width

µs

AVAV

AVEL

ELEH

ELAX

RECALL

Address Hold Time

RECALL Duration

Note u: The software sequence is clocked with E controlled READs.

Note v: The six consecutive addresses must be in the order listed in the Hardware Mode Selection Table: (0000, 1555, 0AAA, 1FFF, 10F0, 0F0F) for a

STORE cycle or (0000, 1555, 0AAA, 1FFF, 10F0, 0F0E) for a RECALL cycle. W must be high during all six consecutive cycles.

SOFTWARE STORE/RECALL CYCLE: E Controlled^v

AVAV

ADDRESS #1

ADDRESS #6

ADDRESS

AVEL

ELEH

ELAX

RECALL

_STORE/ t

HIGH IMPEDANCE

DATA VALID

DQ (DATA OUT)

October 2003

Document Control # ML0008 rev 0.4

1...4 5 678 9 10...13

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