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STK12C68-5K35

更新时间： 2024-01-28 13:38:21

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其他 - ETC		静态存储器
页数	文件大小	规格书
13页	371K
描述
8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS Nonvolatile Static RAM

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STK12C68-5K35 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	0.300 INCH, CERAMIC, MO-058, DIP-28
针数：	28	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.78	最长访问时间：	35 ns
其他特性：	RETENTION/ENDURANCE = 10 YEARS/100000 CYCLES	JESD-30 代码：	R-CDIP-T28
JESD-609代码：	e0	长度：	35.56 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	8192 words	字数代码：	8000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	8KX8
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP28,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	4.14 mm
最大待机电流：	0.004 A	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.085 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

STK12C68

Document Revision History

Revision

0.0

Date

December 2002

January 2003

July 2003

September 2003

October 2003

Summary

Combined commercial, industrial and military datasheets. Removed 20 nsec device.

Added 35 nsec SMD to order information

Added “28 - SOIC” label to page 1 pinout drawing

Added lead-free lead finish

0.1

0.2

0.3

0.4

Restored “W” 600 mil DIP package to ordering information

October 2003

Document Control # ML0008 rev 0.4

1...10 11 1213

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
STK12C68-5K35I	ETC	8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS No	获取价格
STK12C68-5K35M	CYPRESS	64 Kbit (8K x 8) AutoStore nvSRAM	获取价格
STK12C68-5K40M	ETC	CMOS NV SRAM 8K X 8 AUTOSTORE NONVOLATILE STATIC RAM	获取价格
STK12C68-5K45	ETC	8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS No	获取价格
STK12C68-5K45I	ETC	8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS No	获取价格
STK12C68-5K45M	ETC	8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS No	获取价格