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STK12C68-5C45M

更新时间： 2024-02-06 00:37:00

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13页	371K
描述
8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS Nonvolatile Static RAM

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STK12C68-5C45M 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	DIP, DIP28,.3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.21	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	45 ns	其他特性：	EEPROM HARDWARE/SOFTWARE STORE; SOFTWARE RECALL; RETENTION/ENDURANCE = 10 YEARS/100000 CYCLES
JESD-30 代码：	R-CDIP-T28	JESD-609代码：	e0
长度：	35.56 mm	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	28	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	8KX8	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP28,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	座面最大高度：	4.14 mm
最大待机电流：	0.004 A	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.08 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

STK12C68

Document Revision History

Revision

0.0

Date

December 2002

January 2003

July 2003

September 2003

October 2003

Summary

Combined commercial, industrial and military datasheets. Removed 20 nsec device.

Added 35 nsec SMD to order information

Added “28 - SOIC” label to page 1 pinout drawing

Added lead-free lead finish

0.1

0.2

0.3

0.4

Restored “W” 600 mil DIP package to ordering information

October 2003

Document Control # ML0008 rev 0.4

1...10 11 1213

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
STK12C68-5C55	ETC	8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS No	获取价格
STK12C68-5C55I	ETC	8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS No	获取价格
STK12C68-5C55M	CYPRESS	64 Kbit (8K x 8) AutoStore nvSRAM	获取价格
STK12C68-5CF25	ETC	8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS No	获取价格
STK12C68-5CF25I	ETC	8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS No	获取价格
STK12C68-5CF25M	ETC	8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS No	获取价格