STH8NB90FI

更新时间： 2024-02-18 02:36:34

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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N-CHANNEL 900V - 1.1 ohm - 8 A TO-247/ISOWATT218 PowerMesh⑩ MOSFET

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STH8NB90FI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-218	包装说明：	ISOWATT218, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.72	雪崩能效等级（Eas）：	700 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	900 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A
最大漏极电流 (ID)：	5 A	最大漏源导通电阻：	1.45 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-218
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	80 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STH8NB90FI 数据手册

STW8NB90 - STH8NB90FI

TO-247 MECHANICAL DATA

inch

DIM.

MIN.

4.7

2.2

0.4

TYP.

MAX.

5.3

MIN.

0.185

0.087

0.016

0.039

0.079

0.118

TYP.

MAX.

0.209

0.102

0.031

0.055

0.094

0.134

2.6

0.8

1.4

2.4

3.4

10.9

0.429

15.3

19.7

14.2

15.9

20.3

14.8

0.602

0.776

0.559

0.626

0.779

0.582

34.6

5.5

1.362

0.217

0.079

0.118

P025P

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
STH-90S-A	HITACHI	Directional Coupler,	获取价格
STH-90S-G	HITACHI	Directional Coupler,	获取价格
STH-90S-L	HITACHI	Directional Coupler, 402MHz Min, 470MHz Max, 0.25dB Insertion Loss-Max,	获取价格
STH-90SM	HITACHI	RF/MICROWAVE DIRECTIONAL COUPLER	获取价格
STH-90S-M	HITACHI	Directional Coupler	获取价格
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