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STH9NA60FI

更新时间： 2024-02-08 00:31:53
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 127K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

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STH9NA60FI 数据手册

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STW9NA60  
STH9NA60FI  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
FAST POWER MOS TRANSISTOR  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STW9NA60  
STH9NA60FI  
600 V  
600 V  
< 0.8 Ω  
< 0.8 Ω  
9.5 A  
6.4 A  
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.69 Ω  
± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING  
100% AVALANCHE TESTED  
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
3
2
2
1
1
REDUCED THRESHOLD VOLTAGE SPREAD  
TO-247  
ISOWATT218  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
STH9NA60FI  
Unit  
STW9NA60  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
600  
600  
V
V
30  
V
±
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
6.4  
4
9.5  
6
A
ID  
A
I
DM(• )  
38  
38  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
70  
160  
1.28  
4000  
W
W/oC  
Derating Factor  
0.56  
VISO  
Tstg  
Tj  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
V
-65 to 150  
150  
oC  
oC  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/10  
October 1998  
1234567...10

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STH9NA80 STMICROELECTRONICS N - CHANNEL 800V - 0.85ohm - 9.1A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOS TRANSISTOR

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STH9NA80FI STMICROELECTRONICS N - CHANNEL 800V - 0.85ohm - 9.1A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOS TRANSISTOR

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