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STH8NB90FI

更新时间: 2024-01-02 05:42:21
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 314K
描述
N-CHANNEL 900V - 1.1 ohm - 8 A TO-247/ISOWATT218 PowerMesh⑩ MOSFET

STH8NB90FI 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-218包装说明:ISOWATT218, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.72雪崩能效等级(Eas):700 mJ
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:900 V最大漏极电流 (Abs) (ID):5 A
最大漏极电流 (ID):5 A最大漏源导通电阻:1.45 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-218
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):80 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):20 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

STH8NB90FI 数据手册

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STW8NB90 - STH8NB90FI  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (CONTINUED)  
SWITCHING ON  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
t
V
R
= 450 V, I = 3.5 A  
Turn-on Delay Time  
25  
ns  
d(on)  
DD  
D
= 4.7V = 10 V  
G
GS  
t
Rise Time  
12  
ns  
r
(see test circuit, Figure 3)  
Q
V
V
= 400V, I = 9A,  
= 10V  
Total Gate Charge  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
46  
12.5  
18  
72  
nC  
nC  
nC  
g
DD  
D
GS  
Q
gs  
Q
gd  
SWITCHING OFF  
Symbol  
Parameter  
Off-voltage Rise Time  
Fall Time  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
22  
Max.  
Unit  
ns  
t
V
R
= 720V, I = 7.4 A,  
r(Voff)  
DD  
D
= 4.7Ω, V = 10V  
G
GS  
t
15  
ns  
f
(see test circuit, Figure 5)  
t
Cross-over Time  
31  
ns  
c
SOURCE DRAIN DIODE  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
8
Unit  
A
I
Source-drain Current  
SD  
I
(2)  
(1)  
Source-drain Current (pulsed)  
Forward On Voltage  
32  
A
SDM  
V
I
I
= 8 A, V = 0  
1.6  
V
SD  
SD  
GS  
t
rr  
= 7.4 A, di/dt = 100A/µs,  
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
Reverse Recovery Current  
700  
6.3  
18  
ns  
µC  
A
SD  
V
= 100V, T = 150°C  
j
DD  
Q
rr  
RRM  
(see test circuit, Figure 5)  
I
Note: 1. Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5 %.  
2. Pulse width limited by safe operating area.  
Safe Operating Area for TO-247  
Safe Operating Area for ISOWATT218  
3/9  

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