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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.3 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1000 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 800 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5.6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 5.6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 150 pF | JEDEC-95代码： | TO-218 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 70 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 70 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 35 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大开启时间（吨）： | 135 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| STH9N80FI | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 5.6A I(D) | TO-218VAR |
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| STH9NA60FI | STMICROELECTRONICS | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| STH9NA80 | STMICROELECTRONICS | N - CHANNEL 800V - 0.85ohm - 9.1A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| STH9NA80FI | STMICROELECTRONICS | N - CHANNEL 800V - 0.85ohm - 9.1A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| STHA2F-SERIES | ETC | Peripheral IC |
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| STHA3F-SERIES | ETC | Peripheral IC |
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