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STE16N100

更新时间: 2024-02-28 18:13:59
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 264K
描述
TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)DSS | 16A I(D)

STE16N100 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:ISOTOP
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4针数:4
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.37
其他特性:UL RECOGNIZED外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):16 A最大漏极电流 (ID):16 A
最大漏源导通电阻:0.7 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PUFM-X4元件数量:1
端子数量:4工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):400 W最大脉冲漏极电流 (IDM):64 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

STE16N100 数据手册

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