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ST083S12PFK1

更新时间: 2024-01-21 03:08:22
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英飞凌 - INFINEON 栅极
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9页 240K
描述
INVERTER GRADE THYRISTORS

ST083S12PFK1 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-94
包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3针数:3
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.13其他特性:HIGH SPEED
标称电路换相断开时间:20 µs配置:SINGLE
最大直流栅极触发电流:200 mA最大直流栅极触发电压:3 V
最大维持电流:600 mAJEDEC-95代码:TO-209AC
JESD-30 代码:O-MUPM-H3最大漏电流:30 mA
通态非重复峰值电流:2500 A元件数量:1
端子数量:3最大通态电流:85000 A
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:135 A
断态重复峰值电压:1200 V重复峰值反向电压:1200 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:NO
端子形式:HIGH CURRENT CABLE端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:40触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

ST083S12PFK1 数据手册

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ST083S Series  
Bulletin I25185 rev. C 03/03  
1
10000  
1000  
100  
St e a d y St a t e V a lu e  
= 0.195 K/ W  
R
thJC  
(DC Operation)  
T = 25 ° C  
J
0.1  
T = 125°C  
J
ST083SSeries  
ST083SSeries  
0.01  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5  
InstantaneousOn-state Voltage (V)  
Sq u a r e Wa v e Pu lse D u ra t io n ( s)  
Fig. 8-ThermalImpedanceZthJC Characteristic  
Fig. 7-On-stateVoltageDropCharacteristics  
160  
140  
120  
100  
80  
120  
110  
100  
90  
I
= 500 A  
TM  
I
= 500 A  
TM  
ST0 83S Se r ie s  
T = 125 °C  
300 A  
200 A  
100 A  
J
300 A  
200 A  
100 A  
80  
70  
50 A  
60  
50  
60  
40  
50 A  
ST083SSeries  
30  
T = 125 °C  
40  
J
20  
20  
10  
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100  
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100  
Rate Of Fall Of On-state Current - di/dt (A/µs)  
Fig. 9-ReverseRecoveredChargeCharacteristics  
Rate Of Fall Of Forward Current - di/dt (A/µs)  
Fig. 10-ReverseRecoveryCurrentCharacteristics  
Sn u b b e r c irc u it  
1E4  
1E3  
1E2  
1E1  
Snubber circuit  
R
C
V
= 22 ohms  
= 0.15 µF  
= 80%V  
R
C
V
= 22 o hm s  
= 0.15 µF  
= 80%V  
s
s
s
s
D
D
DRM  
DRM  
100 50 Hz  
200  
400  
1000 500  
1500  
50 Hz  
200 100  
400  
1000  
2000  
2500  
3000  
500  
1500  
2000  
2500  
3000  
ST0 8 3S Se r ie s  
Sinusoidal pulse  
ST0 83S Se r ie s  
Sinusoidal pulse  
T
= 85°C  
tp  
T
= 60°C  
C
tp  
C
1E1  
1
1E4
1E2  
1E3  
1E4  
1E1  
1E2  
1E3  
Pulse Basewidth (µs)  
Pulse Ba se w id t h ( µs)  
Fig. 11-FrequencyCharacteristics  
7
www.irf.com  

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