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ST083S04PFN0

更新时间: 2024-02-08 14:28:07
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英飞凌 - INFINEON /
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9页 240K
描述
INVERTER GRADE THYRISTORS

ST083S04PFN0 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-94
包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3针数:3
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.09Is Samacsys:N
其他特性:HIGH SPEED标称电路换相断开时间:10 µs
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:200 mA
最大直流栅极触发电压:3 V最大维持电流:600 mA
JEDEC-95代码:TO-209ACJESD-30 代码:O-MUPM-H3
最大漏电流:30 mA通态非重复峰值电流:2500 A
元件数量:1端子数量:3
最大通态电流:85000 A最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:135 A
断态重复峰值电压:400 V重复峰值反向电压:400 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:NO
端子形式:HIGH CURRENT CABLE端子位置:UPPER
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

ST083S04PFN0 数据手册

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ST083S Series  
Bulletin I25185 rev. C 03/03  
1E4  
1E3  
ST083S Se rie s  
Trapezoidal pulse  
Sn u b b e r c ir c u i t  
Snubber circuit  
R
C
V
= 22 o hm s  
= 0.15 µF  
= 80%V  
R
C
V
= 22 o hm s  
= 0.15 µF  
= 80%V  
DRM  
s
s
T
= 85°C  
C
s
s
tp  
di/dt = 50A/µs  
D
D
DRM  
50 Hz  
100  
200  
400  
500  
50 Hz  
200 100  
400  
1000  
500  
1500  
1000  
1500  
2000  
2500  
1E2  
1E1  
3000  
ST083 S Se ri e s  
Trapezoidal pulse  
2000  
2500  
T
= 60°C  
C
tp  
di/dt = 50A/µs  
1E1  
1
1E4
1E2  
1E3  
1E4  
1E1  
1E2  
1E3  
Pulse Basewidth (µs)  
Pulse Ba sew id th (µs)  
Fig. 12-FrequencyCharacteristics  
1E4  
1E3  
1E2  
1E1  
ST0 8 3S Se r ie s  
Trapezoidal pulse  
= 85 ° C  
Snubber circuit  
Snubber circuit  
R
C
V
= 22 o hm s  
= 0.15 µF  
= 80%V  
s
R
C
V
= 22 ohms  
= 0.15 µF  
= 80%V  
s
T
s
s
C
tp  
D
DRM  
di/dt = 100A/µs  
D
DRM  
50 Hz  
100  
200  
400  
500  
50 Hz  
100  
1000  
200  
400  
500  
1500  
2000  
1000  
1500  
2500  
3000  
ST0 83 S Se r ie s  
Trapezoidal pulse  
2000  
2500  
T
= 60°C  
C
tp  
di/ dt = 100A/ µs  
1E1  
1E2  
1E3  
1E1  
4
1
1
E1  
1E2  
1E3  
1E4  
Pulse Ba sew id th s)  
Pulse Ba se w id t h s)  
Fig. 13-FrequencyCharacteristics  
1E4  
1E3  
1E2  
1E1  
ST0 83S Se ri e s  
Rectangular pulse  
20 joulesper pulse  
tp  
di/dt = 50A/µs  
10  
5
20 joulesp er pulse  
7.5  
3
2
1
4
0.5  
2
0.3  
1
0.2  
0.1  
0.5  
0.3  
0.2  
0.1  
ST083SSeries  
Sinusoidal pulse  
tp  
1E1  
1E4
1E1  
1E2  
1E3  
1E2  
1E3  
1E4  
Pulse Ba sew id t h s)  
Pulse Ba sew id t h s)  
Fig.14-MaximumOn-stateEnergyPowerLossCharacteristics  
www.irf.com  
8

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
ST083S04PFN0L INFINEON Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 85000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Elem

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ST083S04PFN0LPBF INFINEON Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-209AC

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ST083S04PFN0PBF VISHAY Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 85000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Elem

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ST083S04PFN1L INFINEON 暂无描述

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ST083S04PFN1PBF INFINEON Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 85000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Elem

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ST083S04PFN1PBF VISHAY Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 85000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Elem

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ST083S04PFN2 INFINEON Silicon Controlled Rectifier, 135 A, 400 V, SCR, TO-208AD

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ST083S04PFP0 INFINEON Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 85000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Elem

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ST083S04PFP0L INFINEON Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 85000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Elem

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ST083S04PFP1 INFINEON Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 85000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Elem

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ST083S04PFP2 INFINEON Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 85000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Elem

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