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SSW7N60BTM

更新时间： 2024-02-02 13:00:53

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罗彻斯特 - ROCHESTER		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	1396K
描述
7A, 600V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3

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技术参数
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SSW7N60BTM 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	D2PAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.38	雪崩能效等级（Eas）：	420 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (ID)：	7 A
最大漏源导通电阻：	1.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	28 A	认证状态：	COMMERCIAL
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SSW7N60BTM 数据手册

Typical Characteristics (Continued)

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

1.2

1.1

1.0

$Notes :

0.9

1. V_GS= 0 V

Notes :

2. I_D= 250 &A

1. V_GS= 10 V

2. I_D= 3.5 A

0.8

-100

-50

100

150

200

-50

100

150

200

T_J, Junction Temperature [^oC]

T, Junction Temperature [^oC]

Figure 7. Breakdown Voltage Variation

vs Temperature

Figure 8. On-Resistance Variation

vs Temperature

10²

Operation in This Area

is Limited by R _DS(on)

10 µs

100 µs

10¹

10⁰

1 ms

10 ms

-1

Notes :

1. T_C= 25 ^oC

2. T = 150 ^oC

3. Single Pulse

-2

10²

10³

100

125

150

T_C, Case Temperature [

]

V_DS, Drain-Source Voltage [V]

Figure 9. Maximum Safe Operating Area

Figure 10. Maximum Drain Current

vs Case Temperature

1 0 ⁰

D = 0 .5

N otes

1. Z ₍_JC(t)

2. D uty Factor, D =t₁/t₂

/W M ax.

0.85

0 .2

3. T _JM

T_C

P _{D M}* Z₍_JC(t)

1 0 ^-1

0 .1

0 .0 5

P_DM

0 .0 2

0 .0 1

t₁

sin g le p u lse

t₂

1 0 ^-2

1 0^-5

1 0^-4

1 0^-3

1 0^-2

1 0^-1

1 0⁰

1 0¹

t₁, S q u a re W a v e P u ls e D u ra tio n [s e c ]

Figure 11. Transient Thermal Response Curve

Rev. B, November 2001

1 2 3 456 7 8...14

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与SSW7N60BTM相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
SSWI1N50A	SAMSUNG	Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 500V, 5.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
SSWI1N60A	FAIRCHILD	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-	获取价格
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