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SSW7N60BTM

更新时间： 2024-01-10 17:16:16
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 1396K
描述
7A, 600V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3

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SSW7N60BTM 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：D2PAK包装说明：D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.38雪崩能效等级（Eas）：420 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (ID)：7 A
最大漏源导通电阻：1.2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：28 A认证状态：COMMERCIAL
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SSW7N60BTM 数据手册

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Electrical Characteristics  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Units  
Off Characteristics  
BV  
V
= 0 V, I = 250 µA  
GS D  
Drain-Source Breakdown Voltage  
600  
--  
--  
--  
--  
V
DSS  
∆BV  
Breakdown Voltage Temperature  
Coefficient  
DSS  
I
= 250 µA, Referenced to 25°C  
0.65  
V/°C  
D
/
∆T  
J
I
V
V
V
V
= 600 V, V = 0 V  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
10  
100  
100  
-100  
µA  
µA  
nA  
nA  
DSS  
DS  
GS  
Zero Gate Voltage Drain Current  
= 480 V, T = 125°C  
DS  
GS  
GS  
C
I
= 30 V, V = 0 V  
Gate-Body Leakage Current, Forward  
Gate-Body Leakage Current, Reverse  
GSSF  
DS  
I
= -30 V, V = 0 V  
GSSR  
DS  
On Characteristics  
V
V
V
V
= V , I = 250 µA  
Gate Threshold Voltage  
2.0  
--  
--  
4.0  
1.2  
--  
V
Ω
S
GS(th)  
DS  
GS  
DS  
GS  
D
R
Static Drain-Source  
On-Resistance  
DS(on)  
= 10 V, I = 3.5 A  
1.0  
8.2  
D
g
= 40 V, I = 3.5 A  
(Note 4)  
Forward Transconductance  
--  
FS  
D
Dynamic Characteristics  
C
C
C
Input Capacitance  
--  
--  
--  
1380  
115  
23  
1800  
150  
30  
pF  
pF  
pF  
iss  
V
= 25 V, V = 0 V,  
GS  
DS  
Output Capacitance  
oss  
rss  
f = 1.0 MHz  
Reverse Transfer Capacitance  
Switching Characteristics  
t
t
t
t
Turn-On Delay Time  
Turn-On Rise Time  
Turn-Off Delay Time  
Turn-Off Fall Time  
Total Gate Charge  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
30  
80  
70  
170  
260  
180  
50  
ns  
ns  
d(on)  
V
= 300 V, I = 7.0 A,  
DD  
D
r
R
= 25 Ω  
G
125  
85  
ns  
d(off)  
f
(Note 4, 5)  
(Note 4, 5)  
ns  
Q
Q
Q
38  
nC  
nC  
nC  
g
V
V
= 480 V, I = 7.0 A,  
DS  
D
6.4  
15  
--  
= 10 V  
gs  
gd  
GS  
--  
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings  
I
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
7.0  
28  
1.4  
--  
A
A
S
I
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current  
SM  
V
t
V
V
= 0 V, I = 7.0 A  
Drain-Source Diode Forward Voltage  
Reverse Recovery Time  
--  
V
SD  
GS  
S
= 0 V, I = 7.0 A,  
415  
4.6  
ns  
µC  
rr  
GS  
S
(Note 4)  
dI / dt = 100 A/µs  
Q
Reverse Recovery Charge  
--  
F
rr  
Notes:  
1. Repetitive Rating : Pulse width limited by maximum junction temperature  
2. L = 15.7mH, I = 7.0A, V = 50V, R = 25 Ω, Starting T = 25°C  
AS  
DD  
G
J
3. I " 7.0A, di/dt " 300A/µs, V  
" BV Starting T = 25°C  
SD  
DD  
DSS, J  
4. Pulse Test : Pulse width " 300µs, Duty cycle " 2%  
5. Essentially independent of operating temperature  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B, November 2001  
1234567...14

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