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SSW7N60BTM

更新时间： 2024-02-23 21:57:39

品牌	Logo	应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	1396K
描述
7A, 600V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3

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SSW7N60BTM 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	D2PAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.38	雪崩能效等级（Eas）：	420 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (ID)：	7 A
最大漏源导通电阻：	1.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	28 A	认证状态：	COMMERCIAL
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SSW7N60BTM 数据手册

Typical Characteristics

V_GS

Top :

15.0V

10.0 V

8.0 V

7.0 V

6.5 V

6.0 V

5.5 V

10¹

Bottom: 5.0V

150^oC

25^oC

10⁰

-55^oC

Notes :

1. V_DS= 40V

Notes :

1. 250 s Pulse Test

-1

2. 250 s Pulse Test

2. T_C= 25

-1

10⁰

10¹

V_GS, Gate-Source Voltage [V]

V_DS, Drain-Source Voltage [V]

Figure 1. On-Region Characteristics

Figure 2. Transfer Characteristics

10¹

V_GS= 10V

V_GS= 20V

10⁰

150

Notes :

1. V_GS= 0V

2. 250 s Pulse Test

Note : T = 25

-1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

I_D, Drain Current [A]

V_SD, Source-Drain voltage [V]

Figure 3. On-Resistance Variation vs

Drain Current and Gate Voltage

Figure 4. Body Diode Forward Voltage

Variation with Source Current

and Temperature

3000

2500

2000

1500

1000

500

_iss= C_gs+ C_gd(C_ds= shorted)

C_oss= C_ds+ C

C_rss= C

V_DS= 120V

V_DS= 300V

V_DS= 480V

iss

oss

Notes :

1. V_GS= 0 V

2. f = 1 MHz

rss

Note: I_D= 7.0 A

-1

10⁰

Q_G, Total Gate Charge [nC]

V_DS, Drain-Source Voltage [V]

Figure 5. Capacitance Characteristics

Figure 6. Gate Charge Characteristics

Rev. B, November 2001

1 2 345 6 7...14

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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