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SSTPAD50

更新时间： 2024-02-01 10:10:33

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Linear Systems		二极管测试
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2页	198K
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PICO AMPERE DIODES

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SSTPAD50 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.61	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	0.01 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.35 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL

SSTPAD50 数据手册

PAD SERIES

PICO AMPERE DIODES

Linear Integrated Systems

FEATURES

DIRECT REPLACEMENT FOR SILICONIX PAD SERIES

REVERSE BREAKDOWN VOLTAGE

REVERSE CAPACITANCE

PAD*

BOTTOM VIEW

BV_R≥ -30V

C_rss≤ 2.0pF

PAD1,2,5

BOTTOM VIEW

TO-72

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS¹

@ 25 °C (unless otherwise stated)

Maximum Temperatures

Storage Temperature

-65 to +150 °C

-55 to +135 °C

JPAD

Operating Junction Temperature

Maximum Power Dissipation

Continuous Power Dissipation (PAD)

Continuous Power Dissipation (J/SSTPAD)

Maximum Currents

SSTPAD

SOT-23

TO-92

BOTTOM VIEW

TOP VIEW

300mW

350mW

Forward Current (PAD)

Forward Current (J/SSTPAD)

50mA

10mA

* Cathode tied to Case

COMMON ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25 °C (unless otherwise stated)

SYMBOL

CHARACTERISTIC

MIN TYP MAX UNITS CONDITIONS

ALL PAD

ALL SSTPAD

ALL JPAD

-45

-30

-35

Reverse Breakdown

Voltage

BV_R

I_R= -1µA

V_F

Forward Voltage

0.8

0.5

1.5

0.8

I_F= 5mA

PAD1,5

All Others

C_rss

Total Reverse Capacitance

V_R= -5V, f = 1MHz

SPECIFIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25 °C (unless otherwise stated)

SYMBOL CHARACTERISTIC

PAD²

-1

-2

JPAD²

SSTPAD²UNITS CONDITIONS

(SST/J)PAD1

(SST/J)PAD2

(SST/J)PAD5

-5

(SST/J)PAD10

(SST/J)PAD20

(SST/J)PAD50

(SST/J)PAD100

(SST/J)PAD200

(SST/J)PAD500

-10

-20

-50

-100

-10

-20

-50

-100

-200

-500

-10

-20

-50

Maximum Reverse

I_R

V_R= -20V

Leakage Current²

Linear Integrated Systems • 4042 Clipper Court • Fremont, CA 94538 • Tel: 510 490-9160 • Fax: 510 353-0261

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