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SST3906

更新时间: 2024-09-27 22:53:27
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 171K
描述
PNP General Purpose Transistor

SST3906 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.24
最大集电极电流 (IC):0.2 A基于收集器的最大容量:4.5 pF
集电极-发射极最大电压:40 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):30JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e1湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.2 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):250 MHz最大关闭时间(toff):300 ns
最大开启时间(吨):70 nsVCEsat-Max:0.4 V

SST3906 数据手册

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Transistors  
(SPEC-A38)  
609  

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