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SST3906T116

更新时间: 2024-02-11 20:53:20
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 171K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-346

SST3906T116 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
Factory Lead Time:13 weeks风险等级:0.75
Samacsys Description:ROHM SST3906T116 PNP Transistor, 200 mA, -40 V, 3-Pin SOT-23最大集电极电流 (IC):0.2 A
基于收集器的最大容量:4 pF集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):30
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e1
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.3 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):250 MHz
最大关闭时间(toff):300 ns最大开启时间(吨):70 ns
VCEsat-Max:0.3 V

SST3906T116 数据手册

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