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SS55F

更新时间： 2024-02-01 16:27:50

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2页	627K
描述
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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SS55F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMAF, 2 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.7	应用：	GENERAL PURPOSE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.75 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	最大非重复峰值正向电流：	150 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	50 V	最大反向电流：	500 µA
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1
类别：	Diodes	VRRM (V) max：	50
IF (A) max：	5	VF (V) max：	0.75
Condition1_IF (A)：	5	IFSM (A) max：	150
IR (uA) max：	500	Condition2_VR (V)：	50
trr (ns) max：	-	AEC Qualified：	-
最高工作温度：	150	最低工作温度：	-55
MSL等级：	-	生命周期：	Active
是否无铅：	Yes	符合Reach：	Yes
符合RoHS：	Yes	ECCN代码：	EAR99
Package Outlines：	SMAF

SS55F 数据手册

RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES SS52F THRU SS5200F

FIG. 1- FORWARD CURRENT DERATING CURVE

FIG. 2-MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK FORWARD

SURGE CURRENT

150

120

5.0

4.0

3.0

2.0

1.0

Single Phase

Half Wave 60Hz

Resistive or

inductive Load

SS52F-SS56F

8.3ms SINGLE HALF SINE-WAVE

(JEDEC Method)

SS58F-SS5200F

100

125

150

175

100

AMBIENT TEMPERATURE,

NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz

FIG. 3-TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD

CHARACTERISTICS

FIG. 4-TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS

100

TJ=25 C

10.0

TJ=100 C

TJ=75 C

0.1

0.01

SS52F-SS54F

SS55F-SS56F

SS58F-SS5150F

SS5200F

0.1

TJ=25 C

0.001

100

PERCENT OF PEAK REVERSE VOLTAGE,%

0.01

0.2 0.4

0.6

0.8 1.0 1.2 1.4 1.6

INSTANTANEOUS FORWARD VOLEAGE,

VOLTS

FIG. 5-TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE

FIG. 6-TYPICAL TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE

2000

1000

100

TJ=25 C

100

0.1

0.01

0.1

100

0.1

1.0

100

REVERSE VOLTAGE,VOLTS

t,PULSE DURATION,sec.

The cruve graph is for reference only, can't be the basis for judgment(曲线图仅供参考)!

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