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SS515F PDF预览

SS515F

更新时间： 2024-02-07 22:01:35
品牌 Logo 应用领域
星合电子 - GXELECTRONICS 功效瞄准线测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 452K
描述
Surface Mount Schottky Barrier Rectifier

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SS515F 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMAF, 2 PINReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.68其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.85 VJESD-30 代码：R-PDSO-F2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：150 V最大反向电流：1000 µA
反向测试电压：150 V表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SS515F 数据手册

 浏览型号SS515F的Datasheet PDF文件第2页 
SS52F THRU SS520F  
Surface Mount Schottky Barrier Rectifier  
Reverse Voltage - 20 to 200V  
Forward Current - 5.0A  
星合 子  
XINGHE ELECTRONICS  
SMAF  
FEATURES  
Cathode Band  
Top View  
• Metal silicon junction, majority carrier conduction  
• For surface mounted applications  
0.110(2.80)  
0.094(2.40)  
0.059(1.50)  
0.051(1.30)  
• Low power loss, high efficiency  
• High forward surge current capability  
0.150(3.80)  
0.128(3.25)  
• For use in low voltage, high frequency inverters,  
free wheeling, and polarity protection applications  
0.012(0.30)  
0.006(0.15)  
0.055(1.40)  
0.035(0.90)  
0.047(1.20)  
0.028(0.70)  
MECHANICAL DATA  
• Case: SMAF  
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026  
• Approx. Weight:27mg 0.00086oz  
0.199(5.05)  
0.179(4.40)  
Dimensions in inches and (millimeters)  
Absolute Maximum Ratings and Electrical characteristics  
Ratings at 25°Cambient temperature unless otherwise specified.Single phase, half wave, 60Hz resistive or inductive load,  
for capacitive load, derate by 20 %  
Symbols  
SS52F  
20  
SS54F  
40  
SS56F  
60  
SS58F  
80  
SS510F SS512F SS515F  
SS520F  
200  
Units  
V
Parameter  
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
100  
70  
120  
84  
150  
105  
150  
Maximum RMS voltage  
14  
28  
42  
56  
140  
V
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward Rectified Current  
20  
40  
60  
80  
100  
120  
200  
V
IF(AV)  
5.0  
A
Peak Forward Surge Current,8.3ms  
Single Half Sine-wave Superimposed  
on Rated Load (JEDEC method)  
IFSM  
VF  
IR  
150  
A
V
Max Instantaneous Forward Voltage at 5 A  
0.45  
0.55  
0.70  
0.85  
Maximum DC Reverse Current Ta = 25°C  
1.0  
50  
mA  
pF  
at Rated DC Reverse Voltage  
Typical Junction Capacitance 1）  
Typical Thermal Resistance  
Ta =100°C  
800  
500  
Cj  
RθJA  
Tj  
2）  
55  
°C/W  
°C  
Operating Junction Temperature Range  
-55 ~ +125  
-55 ~ +150  
Storage Temperature Range  
Tstg  
°C  
1）  
Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4 V D.C.  
P.C.B. mounted with 0.2 X 0.2" (5 X 5 mm) copper pad areas.  
2）  
1
GAOMI XINGHE ELECTRONICS CO.,LTD.  
WWW.SDDZG.COM  
12

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