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SS510B PDF预览

SS510B

更新时间： 2024-01-10 18:35:51
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森美特 - SUNMATE 二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 538K
描述
5A Patch Schottky diode 100V SMB series

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SS510B 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-C2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.64其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT
应用：GENERAL PURPOSE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.85 VJEDEC-95代码：DO-214AB
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最大输出电流：5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向电流：200 µA
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

SS510B 数据手册

 浏览型号SS510B的Datasheet PDF文件第2页 
SS52B - SS510B  
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODES  
VOLTAGE RANGE: 20 - 100V  
CURRENT: 5.0 A  
Features  
! Schottky Barrier Chip  
! Ideally Suited for Automatic Assembly  
Low Power Loss, High Efficiency  
!
! Surge Overload Rating to 175A Peak  
! For Use in Low Voltage Application  
! Guard Ring Die Construction  
!
Plastic Case Material has UL Flammability  
B
SMB(DO-214AA)  
Classification Rating 94V-O  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
Dim  
A
Min  
3.30  
4.06  
1.91  
0.15  
5.00  
0.10  
0.76  
2.00  
Max  
3.94  
4.70  
2.21  
0.31  
5.59  
0.20  
1.52  
2.62  
Mechanical Data  
A
C
B
!
!
Case: SMB/DO-214AA, Molded Plastic  
Terminals: Solder Plated, Solderable  
per MIL-STD-750, Method 2026  
Polarity: Cathode Band or Cathode Notch  
Marking: Type Number  
C
D
E
D
!
!
!
G
H
J
Weight: 0.093 grams (approx.)  
J
G
H
All Dimensions in mm  
E
TA = 25ꢀC unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
SS52B SS53B SS54B SS55B SS56B SS58B SS510B Unit  
Symbol  
Characteristic  
20  
14  
20  
30  
21  
30  
40  
28  
40  
50  
35  
50  
60  
42  
60  
80  
56  
80  
100  
70  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
V
V
V
V
RRM  
RMS  
V
100  
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current  
at TL(see fig.1)  
V
DC  
I
(AV)  
5.0  
A
Peak forward surge current  
A
IFSM  
150.0  
8.3ms single half sine-wave superimposed on  
rated load (JEDEC Method)  
V
F
0.55  
0.70  
0.85  
Maximum instantaneous forward voltage at 5.0A  
V
Maximum DC reverse current  
at rated DC blocking voltage  
TA=25 C  
0.5  
mA  
IR  
TA=100 C  
20  
10  
200  
Typical junction capacitance (NOTE 1)  
C
J
pF  
C/W  
C
Typical thermal resistance (NOTE 2)  
Operating junction temperature range  
RθJA  
50.0  
-65 to +125  
-65 to +150  
-65 to +150  
TJ,  
Storage temperature range  
C
TSTG  
Note:1.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
2.P.C.B. mounted with 0.2x0.2”(5.0x5.0mm) copper pad areas  
1 of 2  
www.sunmate.tw  
12

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