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SS1H10-HE3/61T

更新时间： 2024-09-30 15:52:51
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 瞄准线光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 91K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN

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SS1H10-HE3/61T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-214AC
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.16
其他特性：HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS, LOW LEAKAGE CURRENT, FREE WHEELING DIODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.62 VJEDEC-95代码：DO-214AC
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：50 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

SS1H10-HE3/61T 数据手册

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SS1H9 & SS1H10  
Vishay General Semiconductor  
High-Voltage Surface Mount Schottky Rectifier  
High Barrier Technology for improved high temperature performance  
FEATURES  
• Low profile package  
• Ideal for automated placement  
• Guardring for overvoltage protection  
• Low power losses, high efficiency  
• Low forward voltage drop  
• Low leakage current  
DO-214AC (SMA)  
• High surge capability  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020C, LF max peak  
of 260 °C  
• Solder Dip 260 °C 40 seconds  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
TYPICAL APPLICATIONS  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
VF  
1.0 A  
90 V to 100 V  
50 A  
For use in low voltage high frequency inverters, free-  
wheeling, dc-to-dc converters, and polarity protection  
applications.  
0.62 V  
MECHANICAL DATA  
IR  
1.0 µA  
Case: DO-214AC (SMA)  
Tj max.  
175 °C  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002B and JESD22-B102D  
E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high  
reliability grade (AEC Q101 qualified)  
Polarity: Color band denotes the cathode end  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL  
SS1H9  
S9  
SS1H10  
S10  
UNIT  
Device marking code  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Working peak reverse voltage  
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current (see Fig. 1)  
VRRM  
VRWM  
VDC  
90  
100  
V
V
V
A
90  
100  
90  
100  
IF(AV)  
1.0  
50  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
A
Peak repetitive reverse surge current at tp = 2.0 µs, 1 kHz  
Storage temperature range  
IRRM  
TSTG  
TJ  
1.0  
A
- 65 to + 175  
175  
°C  
°C  
Maximum operating temperature  
Document Number 88747  
07-Jul-06  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SS1H10HE3_A/H VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN
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 		DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMA
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