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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.565 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-257 | JESD-30 代码： | R-MSFM-P3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPFM9131RM | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.565ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| SPFM9134RK | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.55ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| SPFM9134RM | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.55ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| SPFM9141RK | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.315ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| SPFM9141RM | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.315ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| SPFM9144RK | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| SPFM9144RM | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| SPFM9152RK | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 100V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| SPFM9152RM | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 100V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| SPFM9155RK | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 100V, 0.125ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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