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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-254AA |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 23 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.14 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-254AA | JESD-30 代码： | S-MSFM-P3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPFM9152RM | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 100V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| SPFM9155RK | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 100V, 0.125ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| SPFM9155RM | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 100V, 0.125ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| SPFM9163RK | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.095ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| SPFM9163RM | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.095ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| SPFM9165RK | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.086ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| SPFM9165RM | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.086ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| SPFM9231RK | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.32ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| SPFM9231RM | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.32ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| SPFM9234RK | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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