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SPBX1N60S5 PDF预览

SPBX1N60S5

更新时间： 2024-02-11 13:10:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 59K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20.7A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC PACKAGE-3

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SPBX1N60S5 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.39
雪崩能效等级（Eas）：690 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (ID)：20.7 A
最大漏源导通电阻：0.19 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：42 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SPBX1N60S5 数据手册

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SPPX1N60S5  
SPBX1N60S5  
Target data sheet  
Cool MOS Power Transistor  
• Worldwide best R  
• N-Channel  
in TO 220  
DS(on)  
• Enhancement mode  
• Ultra low gate charge  
• Avalanche rated  
• dv/dt rated  
1
2
3
• 150°C operating temperature  
G
D
S
Type  
V
I
R
DS(on)  
Marking  
Package  
Ordering Code  
DS  
D
SPPX1N60S5  
SPBX1N60S5  
600 V 20.7 A 190 mΩ  
X1N60S5  
P-TO220-3-1  
P-TO263-3-2  
-
-
Maximum Ratings, at T = 25 °C, unless otherwise specified  
j
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Drain source voltage  
Continuous drain current  
V
600  
V
A
DSS  
I
D
T = 25 °C  
20.7  
13.1  
42  
C
T = 100 °C  
C
Pulsed drain current  
I
D puls  
T = 25 °C  
C
Avalanche energy, single pulse  
E
AS  
690  
mJ  
I = 20.7 A, V = 50 V, R = 25 Ω  
GS  
D
DD  
Avalanche current (periodic, limited byT  
Avalanche energy (10 kHz, limited byT  
)
I
AR  
tbd  
tbd  
6
A
jmax  
)
E
AR  
mJ  
jmax  
Reverse diode dv/dt  
I = 20.7 A, V <V , di/dt = 100 A/µs,  
DSS  
dv/dt  
KV/µs  
S
DS  
T
= 150 °C  
jmax  
Gate source voltage  
V
±20  
V
GS  
Power dissipation, T = 25 °C  
P
208  
W
°C  
C
tot  
Operating temperature  
T
j
-55 ...+150  
-55 ... +150  
55/150/56  
Storage temperature  
T
stg  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
Semiconductor Group  
1
03 / 1998  
12345

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与SPBX1N60S5相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SPBX2N60S5 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 11.3A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
SPBX6N60S5 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 11.3A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
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