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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.31 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 130 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 4.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.95 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 9 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPB04N60S5_07 | INFINEON |
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Cool MOS™ Power Transistor Feature New revolu |
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| SPB04N60S5ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 600V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SPB05-1R0 | TDK |
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DC-DC Regulated Power Supply Module, 1 Output, 5W, Hybrid |
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| SPB05-2R0 | TDK |
获取价格 |
DC-DC Regulated Power Supply Module, 1 Output, 10W, Hybrid |
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| SPB0703 | SUPERWORLD |
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SMD POWER INDUCTORS |
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| SPB0703100MZF-11 | SUPERWORLD |
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SMD POWER INDUCTORS |
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| SPB0703100MZF-12 | SUPERWORLD |
获取价格 |
SMD POWER INDUCTORS |
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| SPB0703100MZF-13 | SUPERWORLD |
获取价格 |
SMD POWER INDUCTORS |
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| SPB0703100MZF-14 | SUPERWORLD |
获取价格 |
SMD POWER INDUCTORS |
|
| SPB0703100MZF-15 | SUPERWORLD |
获取价格 |
SMD POWER INDUCTORS |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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